Strain and crystalline defects in epitaxial GaN layers studied by high-resolution X-ray diffraction
| Datei | Beschreibung | Größe | Format | |
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| 00011449.pdf | 5.58 MB | Adobe PDF | Anzeigen |
| Sonstige Titel: | Dehnung und kristallene Defekte in den Epitaxial- GaN Schichten studierten durch hochauflösende Röntgenbeugung |
| Autor/Autorin: | Chierchia, Rosa |
| BetreuerIn: | Hommel, Detlef, |
| 1. GutachterIn: | Hommel, Detlef |
| Weitere Gutachter:innen: | Falta, Jens |
| Zusammenfassung: | The scope of this thesis is to study the strain state, dislocation densities and other microstructuralfeatures of GaN-based layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy(MOVPE) on (0001) sapphire and (0001) 6H-SiC substrates using x-ray techniques. |
| Schlagwort: | GaN; epilayers; strain; defects; x-ray diffraction |
| Veröffentlichungsdatum: | 16-Okt-2007 |
| Dokumenttyp: | Dissertation |
| Zweitveröffentlichung: | no |
| URN: | urn:nbn:de:gbv:46-diss000114499 |
| Institution: | Universität Bremen |
| Fachbereich: | Fachbereich 01: Physik/Elektrotechnik (FB 01) |
| Enthalten in den Sammlungen: | Dissertationen |
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