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Zitierlink DOI
10.26092/elib/1610

Ein Beitrag zur Herstellung und Charakterisierung von Galliumnitrid Trench MOSFETs auf nativen Substraten

Veröffentlichungsdatum
2022-06-01
Autoren
Dannecker, Kevin  
Betreuer
Kaminski, Nando  
Gutachter
Erlbacher, Tobias  
Zusammenfassung
In dieser Arbeit wurden Galliumnitrid basierte Trench Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren auf nativen Substraten hergestellt und vermessen. Der Fokus lag auf dem Metall-Oxid-Halbleiter-Inversionskanal und der Mobilität der Ladungsträger im Kanal. Ein neuartiger, chlorfreier Plasmaätzprozess wurde verwendet, um die Gatetrenches herzustellen. Anschließend wurden die Trenches nasschemisch nachbehandelt. Im Gegensatz zum üblichen Vorgehen wurde die Gatestruktur vollständig metallfrei prozessiert und basiert auf einer Gateelektrode aus polykristallinem Silizium. Gatedielektrikum und Gateelektrode wurden mittels chemischer Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck hergestellt. Verschiedene Gatedielektrika wurden anhand von planaren und getrenchten Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren untersucht. Dielektrische Durchbruchfestigkeit, Leckstromdichte, Hystereseeffekte und die Entstehung von Traps wurden untersucht. Im Fall von Siliziumdioxid als Gatedielektrikum erhöhte eine der Abscheidung nachgelagerte Temperprozedur, vor der Deposition der Gateelektrode, die thermische Belastbarkeit und reduzierte Hystereseeffekte. Im Vergleich zu Strukturen mit einer metallenen Gateelektrode zeigten solche mit einer Gateelektrode aus polykristallinem Silizium eine generell bessere Performance hinsichtlich thermischer Stabilität, elektrischer Durchbruchfestigkeit und Hysterese. Die on-State Performance der hergestellten Transistoren war vergleichbar mit State-of-the-Art Bauteilen. Der flächenspezifische On-Widerstand betrug ca.10 mOhm pro cm². Die Ladungsträgermobilität im Inversionskanal war 10 cm²/Vs für ein vertikales Interface und 30 cm²/Vs für ein planares.
Schlagwörter
Trench MOSFET

; 

GaN

; 

Inversion channel

; 

wet etching

; 

plasma etching

; 

interface defects

; 

crystal plane
Institution
Universität Bremen  
Fachbereich
Fachbereich 01: Physik/Elektrotechnik (FB 01)  
Dokumenttyp
Dissertation
Zweitveröffentlichung
Nein
Lizenz
https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Sprache
Englisch
Dateien
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Vorschaubild
Name

Thesis_Dannecker_Kevin.pdf

Size

34.34 MB

Format

Adobe PDF

Checksum

(MD5):8841b11091b00032abb852fda1511ad3

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