Skip navigation
SuUB logo
DSpace logo

  • Zur Startseite
  • Institutionen
    • Universität Bremen
    • Hochschule Bremen
    • Hochschule Bremerhaven
  • Anmelden:
    • Mein Media
    • Abonnement
      Neuerscheinungen
    • Benutzerprofil bearbeiten

Zitierlink: https://doi.org/10.26092/elib/1610
Thesis_Dannecker_Kevin.pdf
OpenAccess
 
by 4.0

Ein Beitrag zur Herstellung und Charakterisierung von Galliumnitrid Trench MOSFETs auf nativen Substraten


Datei Beschreibung GrößeFormat
Thesis_Dannecker_Kevin.pdf35.17 MBAdobe PDFAnzeigen
Sonstige Titel: Fabrication and characterization of gallium nitride trench MOSFETs on native substrates
Autor/Autorin: Dannecker, Kevin  
BetreuerIn: Kaminski, Nando 
1. GutachterIn: Kaminski, Nando 
Weitere Gutachter:innen: Erlbacher, Tobias 
Zusammenfassung: 
In dieser Arbeit wurden Galliumnitrid basierte Trench Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren auf nativen Substraten hergestellt und vermessen. Der Fokus lag auf dem Metall-Oxid-Halbleiter-Inversionskanal und der Mobilität der Ladungsträger im Kanal. Ein neuartiger, chlorfreier Plasmaätzprozess wurde verwendet, um die Gatetrenches herzustellen. Anschließend wurden die Trenches nasschemisch nachbehandelt. Im Gegensatz zum üblichen Vorgehen wurde die Gatestruktur vollständig metallfrei prozessiert und basiert auf einer Gateelektrode aus polykristallinem Silizium. Gatedielektrikum und Gateelektrode wurden mittels chemischer Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck hergestellt. Verschiedene Gatedielektrika wurden anhand von planaren und getrenchten Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren untersucht. Dielektrische Durchbruchfestigkeit, Leckstromdichte, Hystereseeffekte und die Entstehung von Traps wurden untersucht. Im Fall von Siliziumdioxid als Gatedielektrikum erhöhte eine der Abscheidung nachgelagerte Temperprozedur, vor der Deposition der Gateelektrode, die thermische Belastbarkeit und reduzierte Hystereseeffekte. Im Vergleich zu Strukturen mit einer metallenen Gateelektrode zeigten solche mit einer Gateelektrode aus polykristallinem Silizium eine generell bessere Performance hinsichtlich thermischer Stabilität, elektrischer Durchbruchfestigkeit und Hysterese. Die on-State Performance der hergestellten Transistoren war vergleichbar mit State-of-the-Art Bauteilen. Der flächenspezifische On-Widerstand betrug ca.10 mOhm pro cm². Die Ladungsträgermobilität im Inversionskanal war 10 cm²/Vs für ein vertikales Interface und 30 cm²/Vs für ein planares.
Schlagwort: Trench MOSFET; GaN; Inversion channel; wet etching; plasma etching; interface defects; crystal plane
Veröffentlichungsdatum: 1-Jun-2022
Dokumenttyp: Dissertation
DOI: 10.26092/elib/1610
URN: urn:nbn:de:gbv:46-elib60051
Institution: Universität Bremen 
Fachbereich: Fachbereich 01: Physik/Elektrotechnik (FB 01) 
Enthalten in den Sammlungen:Dissertationen

  

Seitenansichten

50
checked on 02.07.2022

Download(s)

19
checked on 02.07.2022

Google ScholarTM

Prüfe


Diese Ressource wurde unter folgender Copyright-Bestimmung veröffentlicht: Lizenz von Creative Commons Creative Commons

Impressum -Feedback -Datenschutz
Media - Erweiterung bereitgestellt und optimiert von Logo 4SCIENCE