Skip navigation
SuUB logo
DSpace logo

  • Home
  • Institutions
    • University of Bremen
    • City University of Applied Sciences
    • Bremerhaven University of Applied Sciences
  • Sign on to:
    • My Media
    • Receive email
      updates
    • Edit Account details

Citation link: https://doi.org/10.26092/elib/1610
Thesis_Dannecker_Kevin.pdf
OpenAccess
 
by 4.0

Ein Beitrag zur Herstellung und Charakterisierung von Galliumnitrid Trench MOSFETs auf nativen Substraten


File Description SizeFormat
Thesis_Dannecker_Kevin.pdf35.17 MBAdobe PDFView/Open
Other Titles: Fabrication and characterization of gallium nitride trench MOSFETs on native substrates
Authors: Dannecker, Kevin  
Supervisor: Kaminski, Nando 
1. Expert: Kaminski, Nando 
Experts: Erlbacher, Tobias 
Abstract: 
In dieser Arbeit wurden Galliumnitrid basierte Trench Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren auf nativen Substraten hergestellt und vermessen. Der Fokus lag auf dem Metall-Oxid-Halbleiter-Inversionskanal und der Mobilität der Ladungsträger im Kanal. Ein neuartiger, chlorfreier Plasmaätzprozess wurde verwendet, um die Gatetrenches herzustellen. Anschließend wurden die Trenches nasschemisch nachbehandelt. Im Gegensatz zum üblichen Vorgehen wurde die Gatestruktur vollständig metallfrei prozessiert und basiert auf einer Gateelektrode aus polykristallinem Silizium. Gatedielektrikum und Gateelektrode wurden mittels chemischer Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck hergestellt. Verschiedene Gatedielektrika wurden anhand von planaren und getrenchten Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren untersucht. Dielektrische Durchbruchfestigkeit, Leckstromdichte, Hystereseeffekte und die Entstehung von Traps wurden untersucht. Im Fall von Siliziumdioxid als Gatedielektrikum erhöhte eine der Abscheidung nachgelagerte Temperprozedur, vor der Deposition der Gateelektrode, die thermische Belastbarkeit und reduzierte Hystereseeffekte. Im Vergleich zu Strukturen mit einer metallenen Gateelektrode zeigten solche mit einer Gateelektrode aus polykristallinem Silizium eine generell bessere Performance hinsichtlich thermischer Stabilität, elektrischer Durchbruchfestigkeit und Hysterese. Die on-State Performance der hergestellten Transistoren war vergleichbar mit State-of-the-Art Bauteilen. Der flächenspezifische On-Widerstand betrug ca.10 mOhm pro cm². Die Ladungsträgermobilität im Inversionskanal war 10 cm²/Vs für ein vertikales Interface und 30 cm²/Vs für ein planares.
Keywords: Trench MOSFET; GaN; Inversion channel; wet etching; plasma etching; interface defects; crystal plane
Issue Date: 1-Jun-2022
Type: Dissertation
DOI: 10.26092/elib/1610
URN: urn:nbn:de:gbv:46-elib60051
Institution: Universität Bremen 
Faculty: Fachbereich 01: Physik/Elektrotechnik (FB 01) 
Appears in Collections:Dissertationen

  

Page view(s)

51
checked on Jul 2, 2022

Download(s)

20
checked on Jul 2, 2022

Google ScholarTM

Check


This item is licensed under a Creative Commons License Creative Commons

Legal notice -Feedback -Data privacy
Media - Extension maintained and optimized by Logo 4SCIENCE